[아이뉴스24 설재윤 기자] SK하이닉스는 업계 최초로 신소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발해 고객사 공급을 시작했다고 28일 밝혔다.
이번 제품에 적용한 'High-K EMC' 소재는 반도체를 밀봉해 수분, 열, 충격, 전하 등 다양한 외부 환경으로부터 보호하고 열을 방출하는 통로 역할도 하는 반도체 후공정 필수 재료다.
![고방열 모바일 D램 [사진=SK하이닉스]](https://image.inews24.com/v1/8c50b82da433d7.jpg)
회사는 "온디바이스 AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며 "이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 설명다.
최신 플래그십 스마트폰은 모바일 어플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 방식을 적용하고 있다. 이 방식은 공간 활용과 데이터 처리 속도 측면에서 유리하지만, AP에서 발생한 열이 D램 내부에 축적돼 전체 성능 저하를 유발하는 한계가 있었다.
SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능을 높였다. 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발해 적용했다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 3.5배 수준으로 높였고, 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항은 47% 낮췄다.
향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다. 이러한 효과로 모바일 업계에서 이 제품에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 전망된다.
SK하이닉스 이규제 PKG제품개발 담당 부사장은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다"며 "소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 구축해나가겠다"고 말했다.
/설재윤 기자(jyseol@inews24.com)
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