삼성전자 "HBM4 양산 마치고 운송 시작"…세계 최초 경쟁 쐐기

[아이뉴스24 박지은 기자] 삼성전자가 고대역폭 초고속 메모리(HBM) 4세대 제품인 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다고 11일 밝혔다.

삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준기구 제이덱(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 제품 개발을 추진해왔다고 밝혔다.

이번 제품에는 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입했다. 삼성전자는 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했다.

베이스다이에는 4나노 공정을 적용했다. 베이스 다이는 HBM 적층 구조의 가장 아래에서 전력과 신호를 제어하는 기반 칩이다.

삼성전자는 HBM4가 핀 속도 기준 11.7Gbps 데이터 처리 성능을 안정적으로 확보했으며, 최대 13Gbps까지 구현 가능하다고 밝혔다.

이는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps 대비 약 46% 높은 수준이다. 전작 HBM3E 최대 핀 속도(9.6Gbps)와 비교하면 약 1.22배 향상됐다.

단일 스택 기준 총 메모리 대역폭은 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸다. 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회한다고 삼성전자는 밝혔다.

HBM4는 12단 적층 기준 24GB~36GB 용량을 제공한다. 삼성전자는 고객 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 확장할 계획이다.

삼성전자는 데이터 전송 입출력(I/O) 핀 수가 기존 1024개에서 2048개로 늘어나며 발생할 수 있는 전력 소모와 열 집중 문제 해결에도 집중했다.

코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용하고 TSV 저전압 설계와 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 에너지 효율을 전 세대 대비 약 40% 개선했다고 밝혔다.

열저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상됐다고 설명했다.

삼성전자는 이번 양산 출하를 통해 고객사 공급을 위한 출고 절차에 들어갔다고 밝혔다. 구체적인 고객사는 공개하지 않았다.

업계에서는 그동안 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4 양산 준비를 강조하면서 ‘세계 최초’ 메시지를 둘러싼 혼선이 이어져 왔다.

삼성전자는 이번에 HBM4 출하 트럭 장면까지 공개하며 실제 공급이 시작됐음을 부각했다. 시장에서는 삼성전자가 HBM4 경쟁에서 ‘세계 최초 출하’에 쐐기를 박았다는 평가도 나온다.

삼성전자는 로직, 메모리, 반도체 위탁생산(파운드리), 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 기반으로 공급망 리스크를 줄이고 생산 리드타임을 단축하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 글로벌 주요 GPU 기업과 차세대 주문형반도체(ASIC) 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 받고 있으며, 기술 협력을 확대할 방침이라고 밝혔다.

삼성전자는 2026년 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다.

평택사업장 2단지 5라인은 2028년부터 HBM 생산 핵심 거점으로 활용될 예정이다.

삼성전자는 HBM4에 이어 2026년 하반기 HBM4E 샘플 출하, 2027년 고객 맞춤형 커스텀 HBM 샘플링을 순차 진행할 계획이다.