[아이뉴스24 박지은 기자] SK하이닉스가 메모리와 로직(Logic) 통합을 앞세운 차세대 인공지능(AI) 반도체 전략을 공개했다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(최고개발책임자·CDO)은 22일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 TSMC ‘테크놀로지 심포지엄 2026’ 기조연설에서 “메모리와 로직 기술의 통합은 AI 성능을 극대화할 핵심 돌파구”라고 밝혔다.
![안현 SK하이닉스 사장이 22일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 TSMC 심포지엄 무대에 올라 양사의 기술 협력을 소개하고 있다. [사진=SK하이닉스 뉴스룸]](https://image.inews24.com/v1/592018e183adbd.jpg)
안 사장은 “AI 발전의 가장 큰 제약은 데이터 처리 속도를 따라가지 못하는 메모리 병목”이라며 “기존 구조 개선을 넘어 새로운 접근이 필요하다”고 말했다.
이어 “단순 공급자를 넘어 아키텍처 설계 단계부터 참여하는 ‘크리에이터’로 진화하고 있다”며 “표준형 고대역폭메모리(HBM)을 넘어 고객 맞춤형 ‘커스텀 HBM’으로 확장하겠다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 이를 위해 TSMC와 협력을 강화하고 있다.
안 사장은 “HBM4부터 베이스다이에 TSMC의 선단 로직 공정을 적용하는 전략적 협업을 추진 중”이라며 “이를 기반으로 고대역폭플래시(HBF)와 로직 위 D램 적층(3D Stacked DRAM on Logic)까지 확장할 것”이라고 말했다.
메모리와 로직을 결합해 성능과 효율을 동시에 끌어올리는 구조다.
이번 행사는 TSMC가 글로벌 반도체 설계·제조 파트너를 초청해 최신 기술과 협력 성과를 공유하는 자리다.
![안현 SK하이닉스 사장이 22일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 TSMC 심포지엄 무대에 올라 양사의 기술 협력을 소개하고 있다. [사진=SK하이닉스 뉴스룸]](https://image.inews24.com/v1/3be0a6f370bd8c.jpg)
올해 심포지엄에서는 2㎚ 이하 미세공정과 첨단 패키징 기술을 중심으로 AI 반도체 로드맵이 제시됐다.
SK하이닉스는 현장에서 HBM과 서버용 D램 등 AI 메모리 중심 제품을 전시하며 기술 방향성을 소개했다.
특히 차세대 HBM에 TSMC 로직 공정을 결합하는 구조를 강조하며 양사 협력 수준을 드러냈다는 평가다.
안 사장은 “AI 시대 핵심은 협업”이라며 “HBM을 포함한 AI 메모리 분야에서 최적의 파트너로 자리잡겠다”고 밝혔다.
/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)
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