어플라이드, 美 반도체 R&D센터 공개…삼성·SK 참여

[아이뉴스24 권서아 기자] 미국 반도체 장비 기업 어플라이드 머티어리얼즈가 실리콘밸리에 50억달러(약 7조원) 규모의 연구개발(R&D) 센터를 공개하고 삼성전자·SK하이닉스 등과 차세대 반도체 기술 개발에 나선다.

어플라이드 머티어리얼즈는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 서니베일 캠퍼스에서 'EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization)' 센터를 공개했다.

EPIC 센터는 반도체 공정 기술과 제조 장비를 공동 개발하는 R&D 시설이다. 총 투자 규모는 약 50억달러로, 고객사 프로젝트 진행에 따라 단계적으로 확대될 예정이다. 어플라이드는 협업형 반도체 공정·장비 연구시설로는 세계 최대 규모라고 설명했다.

센터에는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 대만 TSMC, 미국 인텔과 마이크론 등 글로벌 반도체 기업 5곳이 창립 파트너로 참여한다. 브로드컴과 아드반테스트, 키옥시아, 베시 등 장비·반도체 기업과 스탠퍼드대, UC버클리 등 대학 연구진도 협력에 나선다.

EPIC 센터의 건물 면적은 약 5만5700제곱미터(㎡)로, 이 가운데 약 1만6200㎡에는 첨단 클린룸이 들어섰다. 완공까지 투입된 공사 시간은 600만 시간을 넘는다.

이 시설은 반도체 소재 연구부터 장비·공정 개발, 실제 생산에 적용하기 위한 검증까지 한 공간에서 진행할 수 있도록 설계됐다.

기존에는 기초 재료 연구와 장비 개발, 공정 통합, 시험 생산이 서로 다른 시설에서 진행돼 기술을 양산에 적용하기까지 여러 단계를 거쳐야 했다. EPIC 센터에서는 칩 제조사와 장비 업체 엔지니어들이 개발 초기부터 협력해 이 같은 과정을 단축한다는 구상이다.

특히 인공지능(AI) 확산으로 반도체 구조가 복잡해지고 고성능·저전력 칩 수요가 늘어나는 상황에서 차세대 공정과 소재 개발 속도를 높이는 데 초점을 맞췄다.

삼성전자는 메모리와 첨단 로직 반도체, 패키징 분야에서 어플라이드와 협력할 계획이다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO)는 "삼성전자는 메모리, 첨단 로직, 첨단 패키징을 아우르는 기술 역량을 바탕으로 AI 시대의 컴퓨팅 기술 발전을 추진하고 있다"며 "양사는 EPIC을 통해 AI 기술 발전 속도에 발맞춰 혁신 기술의 개발부터 고도화, 실제 적용에 이르는 전 과정을 한층 가속화해 나갈 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)와 D램, 낸드 등 차세대 메모리 기술 개발에 집중한다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 "AI 컴퓨팅의 핵심 과제는 갈수록 강력해지는 프로세서가 최대 성능을 발휘할 수 있도록 데이터를 충분히 빠르게 전달하는 것"이라며 "이를 위해서는 훨씬 높은 대역폭과 속도, 용량을 갖춘 메모리가 필요하다"고 강조했다.

이어 "EPIC에서 SK하이닉스와 어플라이드는 양사의 기술 리더십을 결합해 HBM, D램, 낸드 전반의 주요 기술 전환점에 대응하고 AI 시대 메모리 혁신을 가속할 것"이라고 밝혔다.

TSMC 역시 2나노미터(㎚) 이후 차세대 공정과 저저항 배선, 첨단 패키징 기술 개발에 협력한다. 인텔은 트랜지스터와 반도체 내부 연결 구조, 패키징 기술을 중심으로 공동 연구를 추진한다.

게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 최고경영자(CEO)는 "AI 인프라가 확장되면서 고성능 컴퓨팅의 요구가 반도체 제조 기술 개발 전반에 전례 없는 복잡성을 야기하고 있다"며 "차세대 반도체 기술의 개발과 상용화를 위한 협업 방식을 새롭게 설계해야 한다"고 말했다.

이어 "EPIC에서는 세계 유수의 칩 제조사와 시스템 설계 기업, 장비 파트너, 연구진이 어플라이드와 긴밀히 협력해 획기적인 재료 혁신에서 대량 양산에 이르는 과정을 앞당길 것"이라고 덧붙였다.